Проаналізовано особливості дефектоутворення в монокристалах CdS і CdS:Cu за опромінення високоіонізуючими зарядженими частинками, вплив лазерного опромінення на властивості спеціально нелегованих і легованих атомами Cu монокристалів сульфіду кадмію. Визначено частотно-світлову залежність осциліторних коливань твердотільної плазми за оптичної інжекції носіїв струму в n-Ge, швидкість зміщення глибоких енергетичних рівнів у монокристалах кремнію за одновісної пружної деформації. Описано електронну структуру вуглецевих оніонів, нанотрубок та фулеренів. Розглянуто проблему насиченості збудження в квантовій електроніці та релаксаційній оптиці. Охарактеризовано інтеграли руху зарядженої частинки у кеплерівському потенціалі за фонового магнітного поля.

Проанализированы особенности дефектообразования в монокристаллах CdS и CDS:Cu при облучении высокоионизирующими заряженными частицами, влияние лазерного облучения на свойства специально нелегированных и легированных атомами Cu монокристаллов сульфида кадмия. Определены частотно-световая зависимость осцилиторных колебаний твердотельной плазмы при оптической инжекции носителей тока в n-Ge, скорость смещения глубоких энергетических уровней в монокристаллах кремния при одновесной упругой деформации. Описана электронная структура углеродных онионов, нанотрубок и фулеренов. Рассмотрена проблема насыщенности возбуждения в квантовой электронике и релаксационной оптике. Охарактеризованы интегралы движения заряженной частицы в кеплеровском потенциале при фоновом магнитном поле.

Індекс рубрикатора НБУВ: В3 я54(4УКР)3

Рубрики:

Фізика

Шифр НБУВ: Ж69212 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"