Досліджено вплив температури опромінення на зарядовий стан близьких пар Френкеля в кристалах n-Si в діапазоні температур 80 - 300 <$E symbol Р>C. Використано метод локального опромінення з подальшим вимірюванням фото-ерс вздовж зразка за температур 100 K. Зразки опромінювали електронами з енергією 2 МеВ за наявності електричного поля <$E epsilon> = 100 В/см або без нього. Показано, що первинні радіаційні дефекти (РД) в кристалах n-Si в метастабільному стані, тобто в момент утворення в інтервалі температур 80 - 200 <$Esymbol Р>C, заряджені протилежно: вакансії - негативно, а міжвузловинні атоми - позитивно. В області власної провідності (<$E T sub roman опр~=~300 symbol Р>C) вакансії переходять у нейтральний стан, чим пояснюється відсутність впливу електричного поля на ефективність введення вторинних РД. Оцінено час існування первинних РД у метастабільному стані <$E tau~symbol Ы~10 sup -8> с, відстань між компонентами пар Френкеля <$E l~symbol Ы~5~cdot~10 sup -5> см і дрейфову рухливість міжвузловинних атомів кремнію <$E mu~symbol Ы~10 sup 2~roman см sup 2 "/" ( roman {В~cdot~с})> за температури 200 <$E symbol Р>C.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7

Рубрики:

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"