Досліджено температурні залежності електропровідності, коефіцієнта Холла, термоелектрорушійної сили і поперечного ефекту Нернста - Еттінгсгаузена кристалів Hg3In2Te6, легованих гадолінієм. Показано, що за умов сильного легування в межах області розчинності домішки, коли прозорість кристалів суттєво падає, рівень Фермі опускається, залишаючись у верхній половині забороненої зони, що зумовлює самокомпенсацію домішки та збереження біполярної провідності, характерної для власного напівпровідника. У цьому випадку зменшується ширина забороненої зони, а також відношення рухливостей <$E b~=~mu sub n "/" mu sub p> і ефективних мас <$E m sub p "/" m sub n> (<$E n> - електронів, <$E p> - дірок). Експериментальні результати пояснено із залученням моделі невпорядкованого напівпровідника, в якому через велику щільність локалізованих станів розмиваються межі між забороненою та дозволеними зонами, а перенесення електронів і дірок здійснюється на відповідних рівнях протікання.

• Грушка Олена Григорівна (фізико-математичні науки)
• Фрасуняк Василь Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"