Предложен фонон-ротонный закон дисперсии элементарных возбуждений квантовой биэкситонной жидкости в полупроводниках. Исходя из предложенного закона дисперсии рассчитан спектр фотолюминесценции (ФЛ) жидкости, исследовано его поведение при изменении температуры и плотности биэкситонной жидкости. Путем аппроксимации экспеpиментального спектра фотолюминесценции биэкситонной жидкости полупроводниковых кристаллов <$E beta>-ZnP2 расчетным спектром определены значения параметров кривой дисперсии элементарных возбуждений квантовой биэкситонной жидкости. Экспериментальные исследования зависимости спектра ФЛ биэкситонной жидкости в <$E beta>-ZnP2 от температуры и интенсивности лазерного возбуждения подтверждают исходную теоpетическую модель. Измерены зависимости температуры кристаллов от интенсивности возбуждения. Для нескольких образцов получены аномальные зависимости: температура кристалла уменьшалась при увеличении интенсивности возбуждения. Этот эффект, вероятно, является следствием гигантской теплопроводности сверхтекучей биэкситонной жидкости в кристаллах <$E beta>-ZnP2.

• Горбань Іван Степанович (1928–2000) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"