Измерены магнитополевые зависимости сопротивления (до 110 кЭ) гетероструктуры <$E roman {Si sub 0,7 Ge sub 0,3 "/" Si sub 0,2 Ge sub 0,8 "/" Si sub 0,7 Ge sub 0,3}> с <$E 2D> дырочным газом в квантовой яме <$E roman {Si sub 0,2 Ge sub 0,8}> в интервале температур 0,335 - 10 К и при изменении токов от 100 нА до 50 мкА. В области сильных магнитных полей наблюдались осцилляции Шубникова - де-Гааза, а в области слабых полей при <$E H~symbol Г~1> кЭ - положительное магнитосопротивление, переходящее при увеличении поля в отрицательное магнитосопротивление. Эта особенность объясняется эффектами слабой локализации <$E 2D> носителей заряда в условиях близости времени спин-орбитального рассеяния <$E tau sub so> и времени неупругого рассеяния <$E tau sub phi> и свидетельствует о расщеплении спиновых состояний под влиянием возмущающего потенциала, связанного с формированием двумерной потенциальной ямы (механизм Рашбы). Анализ эффектов слабой локализации дал значения характерных времен релаксации <$E tau sub phi ~=~7,2T sup -1 ~cdot~10 sup -12~roman с>, <$E tau sub so ~=~1,36~cdot~10 sup -12~roman с>. Из последней характеристики для изученной гетероструктуры определена величина спинового расщепления <$E DELTA ~=~2,97> мэВ.

• Комник Юрій Федорович (1931–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"