За допомогою методів двокристальної дифрактометрії досліджено процеси міграції й анігіляції радіаційних дефектів під дією лазерного опромінення наносекундної тривалості в одно- та двократному імплантованих іонами <$E roman B sup +> Bi-заміщених ФГП. Виявлено дві області з відмінними механізмами дефектоутворення, що вказує на наявність принаймні двох груп радіаційних дефектів. Обчислено енергії активації міграції кисневих вакансій Vo і релаксації дефектів френкелівського типу Vo - Io, які рівні відповідно 2,1 і 1,6 еВ. Експериментально встановлено відмінність у механізмах дефектоутворення подвійної імплантації від однократної в кінцевій області пробігу іонів <$E roman B sup +>.

• Остафійчук Богдан Костянтинович (1948–2024) (фізико-математичні науки)
• Будзуляк Іван Михайлович (фізико-математичні науки)
• Соловко Ярослав Тарасович (фізико-математичні науки)
• Яремій Іван Петрович (фізико-математичні науки)
• Попович Дмитро Іванович (1954–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"