Исследованы магнитополевые (в поле <$E bold roman H >, приложенном вдоль нормали к плоскости пленки <$E z>) и температурные зависимости плотности критического тока <$E j sub c > в высококачественных эпитаксиальных биаксиально ориентированных пленках <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub {7~-~delta}> с максимальным значением <$E j sub c >, достигающим <$E 2~cdot~10 sup 6~roman {А "/" см sup 2}> в нулевом магнитном поле при <$E T~=~77~roman К >. Найдено, что величина <$E j sub c~(H sub z ,~T)>, не зависящая от <$E H sub z > в области слабых полей <$E H sub z~<<~H sub m >, при <$E H sub z~>>~H sub m > хорошо аппроксимируется зависимостью <$E j sub c~(H sub z ,~T) "/" j sub c~(0,~T)~=~alpha ln~(H sup * "/" H sub z )> в достаточно широкой области <$E 0,95~>>~j sub c~(H sub z ,~T) "/" j sub c~(0,~T)~>>~0,3 >. Величина <$E H sup *~=~H sub m roman e sup {1 "/" alpha}> пропорциональна <$E tau~=~1~-~T "/" T sub c >, как минимум, в области температур, для которой проведены измерения, а параметр <$E alpha > почти не зависит от температуры. При этом для образца с наибольшим значением плотности критического тока при <$E H sub z~symbol О~0 > обнаружен аномально резкий переход от низкополевого плато к логарифмической зависимости. Проанализированы литературные данные по зависимостям <$E j sub c~(H sub z ,~T)> в тонких эпитаксиальных ВТСП пленках и показано, что аппроксимация данного вида применима также к результатам других авторов. При этом, хотя сами величины <$E j sub c~(H~=~0,~tau )>, так же как и значения <$E H sup * >,

существенно различаются для пленок, исследованных разными авторами, величины <$E alpha > при аппроксимации их результатов логарифмической зависимостью оказываются сходными между собой и с данными, полученными в результате проведенных исследований. Предложена модель, качественно объясняющая природу обнаруженной зависимости <$E j sub c~(H sub z ,~T)>, и обсуждены ее основные свойства. Показано, что зависимость, которая хорошо аппроксимируется логарифмической, отвечает механизму, связанному с депиннингом ансамбля вихрей Абрикосова, запиннингованного на краевых дислокациях в малоугловых межблочных границах, которые существуют в тонких эпитаксиальных пленках ВТСП. Резкий переход от плато к логарифмическому участку реализуется, если при <$E H~symbol Ы~H sub m > происходит смена механизма, определяющего плотность критического тока, а именно в том случае, когда при <$E H~<<~H sub m > прозрачность межблочных границ для сверхпроводящего тока ограничивает величину <$E j sub c > сильнее, чем депиннинг вихрей в слабых полях.

• Рябченко Сергій Михайлович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Пашицький Ернст Анатолійович (1936–) (фізико-математичні науки)
• Семенов Андрій Валерійович (медичні науки)
• Пан Володимир Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"