Розглянуто стан розвитку одного з найперспективніших напрямів опто- та наноелектроніки, а саме: технологічні та конструкторські аспекти нітридів третьої (Ga, In, Al) групи. Значну увагу приділено аналізу відомих технологічних методів одержання об'ємних монокристалів, епітаксійних шарів, гетеро- та квантово-розмірних структур на основі нітридів третьої групи, а також розгляду нових технологічних методів покращання характеристик тонких епітаксійних шарів. Наведено результати сучасних розробок комерційних приладів оптоелектроніки та високочастотної електроніки на основі матеріалів типу GaN: світлодіодів, лазерів і фотоприймачів, а також транзисторів, що експлуатуються за екстремальних умов. Описано переваги таких приладів нового покоління в порівнянні з відомими. Надано оцінку сьогоднішнього рівня та перспектив технологічних аспектів виробництва матеріалів типу GaN і конструкторських розробок приладів опто- та мікроелектроніки на основі нітридів третьої групи.

• Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)
• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)
• Олексенко Павло Феофанович (1940–2021) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"