Проведен анализ результатов исследования изменения удельного сопротивления объемного поликристаллического образца <$E roman {La sub 0,9 Mn sub 1,1 O sub 3}> под влиянием температуры, давления и магнитного поля (Т - Р - Н) и изменения магнитострикции монокристалла <$E roman {LaMnO} sub 3> под влиянием Т - Н. Установлено, что температуры пиков <$E Т sub PP> магнито - резистивного, а также выявленных баро- и баромагниторезистивного эффектов совпадают и равны температуре <$E T sub ms> фазового перехода металл-полупроводник. Обнаружены "охлаждающий" и "нагревающий" эффекты давления и магнитного поля, эквивалентное соответствие влияния Т - Р - Н (<$E 5,1~roman К~"~"~1~roman кбар~"~"~2,51~roman кЕ>) на удельное сопротивление поликристаллического образца и влияния Т - Н (<$E 2,1~roman К~"~"~1~roman кЕ) на магнитострикцию монокристалла <$E roman LaMnO sub 3>. Установлены линейность изменения <$E T sub ms ( P )> и <$E T sub ms ( H )> поликристалла и линейность смещения поля гистерезиса магнитострикции монокристалла <$E roman LаМпО sub 3> от температуры.

Індекс рубрикатора НБУВ: В251.2

Рубрики:

Теорія пластичності

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"