Даунов М. И. О перспективности применения полупроводниковых датчиков давления для метрологии и контроля гидростатичности высокого давления / М. И. Даунов, И. К. Камилов, А. Ю. Моллаев, Р. К. Арсланов, С. Ф. Габибов, Д. М. Даунова // Физика и техника высоких давлений. - 2002. - 12, № 4. - С. 124-129. - Библиогр.: 12 назв. - рус.Систематизированы физические принципы создания полупроводниковых резистивных датчиков давления. С помощью аппроксимационной модели гетерофазная система - эффективная среда, разработанной на основе метода эффективной среды и теории протекания, определена пороговая величина эффективного сопротивления <$E rho sub eff sup c~=~2,24 sqrt { rho (I) rho (II)}>, когда формируется бесконечно протяженная связная область пространства из высокопроводящей фазы. Предложено использовать для мониторинга гидростатичности давления полупроводники с глубокими примесными центрами Ge : Au, GaAs : X и др., у которых в актуальном диапазоне давлений наблюдается изменение типа абсолютного минимума зоны проводимости при изотропном сжатии кристаллической решетки. Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|