Систематизированы физические принципы создания полупроводниковых резистивных датчиков давления. С помощью аппроксимационной модели гетерофазная система - эффективная среда, разработанной на основе метода эффективной среды и теории протекания, определена пороговая величина эффективного сопротивления <$E rho sub eff sup c~=~2,24 sqrt { rho (I) rho (II)}>, когда формируется бесконечно протяженная связная область пространства из высокопроводящей фазы. Предложено использовать для мониторинга гидростатичности давления полупроводники с глубокими примесными центрами Ge : Au, GaAs : X и др., у которых в актуальном диапазоне давлений наблюдается изменение типа абсолютного минимума зоны проводимости при изотропном сжатии кристаллической решетки.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"