Зіставленням результатів електрофізичних досліджень з даними електронно-зондового рентгеноспектрального аналізу та фотоелектричних досліджень кристалів <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub {1~-~x} roman Te> (KPT) з <$E x~symbol Ы~0,2~n>-типу з концентраціями <$E n sub 0~symbol Ы~2~cdot~10 sup 14~symbol Ш~10 sup 16~roman см sup -3> виявлено механізми впливу просторових неоднорідностей за складом і рівнем легування на холлівську рухливість <$E mu sub roman H> і формування її температурної залежності. Показано, що наявність невеликих за амплітудою флуктуацій складу, або рівня компенсації, призводить до появи енергетичних бар'єрів для активації рухливості носіїв і відповідних змін кутів нахилу залежностей <$E mu sub roman H (T)>. Наявність великих за амплітудою та геометричними розмірами широкощілинних або перекомпенсованих (непроникних для електронів) областей призводить до зміни ефективного об'єму кристала та паралельного зсуву залежності <$E mu sub roman H (T)> убік менших <$E mu sub roman H>. Наявність дрібнодисперсних неоднорідностей великої концентрації може призводити до ввімкнення додаткового каналу розсіяння носіїв на цих неоднорідностях.

• Власенко Олександр Іванович (фізико-математичні науки)
• Власенко Зоя Костянтинівна (фізико-математичні науки)
• Свєчніков Сергій Васильович (1926–2017) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"