С помощью метода низкотемпературной диффузии кадмия в подложки InAs n-типа проводимости с последующей термообработкой в парах мышьяка при более высоких температурах изготовлены p - n-переходы и исследованы их электрофизические свойства. Получены экспериментальные доказательства формирования областей с разной степенью компенсации, расположенных вблизи металлургической границы p - n-переходов, а также оценены их электрофизические параметры. Показано, что в интервале температур 77 - 105 K профиль концентрации основных носителей заряда в области с меньшей степенью компенсации является однородным и при температурах 132 - 217 K - линейным. Предложена равновесная энергетическая диаграмма InAs p - n-перехода с компенсированной областью.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.35

Рубрики:

Фосфор, сурма, миш'як, вісмут, ванадій, тантал та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"