Наведено режими вирощування сильнолегованих монокристалів арсеніду галію методом Чохральського без дрібнодисперсних включень другої фази. У ході експериментів з вирощування монокристалів, легованих оловом, відзначено, що для підвищення межі легування рекомендовано використовувати режим вирощування, який забезпечує високий градієнт температури поблизу фронту кристалізації та низьку швидкість витягування. У цьому разі необхідно використовувати зневоднений борний ангідрид для рідинної герметизації розплаву.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"