Федотов Ю. В. Особенности угловой зависимости критического тока в тонких эпитаксиальных плeнках ВТСП <$E bold roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub 7-delta}> в магнитном поле / Ю. В. Федотов, Э. А. Пашицкий, С. М. Рябченко, В. А. Комашко, В. М. Пан, В. С. Флис, Ю. В. Черпак // Физика низ. температур. - 2003. - 29, № 8. - С. 842-857. - Библиогр.: 27 назв. - рус.Исследованы зависимости плотности критического тока <$E j sub c> от величины и направления магнитного поля <$E bold roman H> в тонких эпитаксиальных пленках <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub 7-delta}> с высокой <$E j sub c> в отсутствие поля (~ <$E 10 sup 6 roman {А "/" см} sup 2> при 77 К) и с толщиной d, меньшей удвоенной глубины проникновения магнитного поля <$E lambda>. Установлено, что зависимости <$E j sub c (H)> имеют низкополевые плато как при перпендикулярном, так и при параллельном пленке поле. В магнитном поле, перпендикулярном пленке, плато "эффективного пиннинга" простирается до поля, соответствующего достижению плотности "прошивающих" пленку вихрей Абрикосова, при которой им уже не выгодно быть всем запиннингованными на краевых дислокациях в межблочных границах, и часть вихрей становится непиннингованной. В отличие от этого в поле, параллельном пленке, окончание плато не связано с депиннингом проникших в нее параллельных пленке вихрей, а уменьшение <$E j sub c (H)> за пределами плато определяется ослаблением пиннинга перпендикулярных пленке вихрей в параллельном ей магнитном поле. Низкополевое плато на зависимости <$E j sub c (H)> для поля, лежащего в плоскости пленки, оказывается шире, чем плато при нормальном намагничивании. Поэтому зависимость <$E j sub c> от угла между <$E bold roman H> и нормалью к пленке имеет один максимум при поле, лежащем в плоскости пленки. В пленках, полученных лазерным либо электронно-лучевым испарением <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O sub 7-delta}> или компонентов этого состава, измерения <$E j sub c> на которых велись индукционным методом, уменьшение <$E j sub c> при увеличении поля в плоскости пленки начинается раньше первого критического поля для проникновения вихрей в плоскость пленки. А на магнетронно-осажденной пленке, где <$E j sub c> измерялся транспортным методом, это уменьшение <$E j sub c> начинается в поле много большем указанного критического поля. Обсуждены возможные соотношения между параметрами зависимости <$E j sub c (H)> и первого критического поля для проникновения вихрей в плоскость пленки, в том числе и те, которые приводят к различным угловым зависимостям критического тока. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В368.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|