Зажигалов В. А. Парциальное окисление н-пентана в присутствии VPBiO-катализаторов / В. А. Зажигалов, Е. В. Чебуракова // Катализ и нефтехимия. - 2003. - № 11. - С. 98-103. - Библиогр.: 30 назв. - рус.Вивчено селективне окиснення н-пентану на VPO-каталізаторах з домішкою вісмуту (Bi/V = 0 - 0,30). Каталізатори досліджено за допомогою методів рентгенівського фазового аналізу та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії, визначено їх питому поверхню та кислотні характеристики. Встановлено, що введення вісмуту спричинює збільшення вмісту фосфору на поверхні та зміни їх кислотності. Показано, що питома каталітична активність зразків в окисненні н-пентану корелює з ефективним негативним зарядом кисню поверхні (Eзв O s-електронів). Селективність утворення цитраконового ангідриду зростає зі збільшенням загальної кислотності поверхні. Селективність за малеїновим ангідридом збільшується з ростом бренстедовської кислотності поверхні, в той час як селективність утворення фталевого ангідриду зростає зі збільшенням льюїсовської кислотності. Запропоновано механізм утворення продуктів парціального окиснення під час окиснення н-пентану на даних каталізаторах. Індекс рубрикатора НБУВ: Г241.15-271.5 + Г544.328
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж15001 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|