Проведен обзор, систематизация и анализ механизмов проводимости, лежащих в основе работы полупроводниковых термометров сопротивления (ПТС), начиная от высокотемпературных и заканчивая самыми низкотемпературными. Рассмотрены собственная и примесные проводимости (в области истощения, активационная с половинным и целым наклоном), <$E E sub 2>-проводимость, прыжковая проводимость с постоянной энергией активации, а с переменной - моттовская проводимость (закон <$E T sup {1 "/" 4}>), а также при наличии кулоновской щели проводимость по закону Шкловского - Эфроса (закон <$E T sup {1 "/" 2}>). Исследованы температурные области их проявления и проведен качественный анализ возможности управления ими за счет очистки и легирования примесями с различной глубиной, изменения концентрации и компенсации. Рассмотрены слабо- и сильнолегированные, слабо и сильно компенсированные полупроводники в целях создания на их основе ПТС. Показаны пути получения узко- и широкодиапазонных термометров сопротивления. Оценены некоторые возможности наиболее распространенных полупроводников Ge, Si, GaAs для создания ПТС.

• Шварц Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"