Уперше синтезовано поряд з ниткоподібними порожнисті наноструктури карбіду кремнію завдовжки до 1 мкм. Синтез наноструктур SiC з кремнію та вуглецю за температур 1000 - 1100 <$E symbol Р>C здійснено без попередньої стадії їх газифікації. Ріст наноструктур SiC передбачає стадію атомізації кремнію та вуглецю за таких низьких температур. Ріст нанотрубок SiC в процесі відновлення вуглецем <$E roman SiO sub 2> в початковий період синтезу відбувається з переважним утворенням їх у вигляді зв'язок. Припущено, що SiC відповідає сильно текстурованій <$E alpha>-модифікації.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"