![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000134842<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Харламов А. И. Полые наноструктуры карбида кремния / А. И. Харламов, Н. В. Кириллова, С. Н. Каверина // Теорет. и эксперим. химия. - 2002. - 38, № 4. - С. 232-237. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Уперше синтезовано поряд з ниткоподібними порожнисті наноструктури карбіду кремнію завдовжки до 1 мкм. Синтез наноструктур SiC з кремнію та вуглецю за температур 1000 - 1100 <$E symbol Р>C здійснено без попередньої стадії їх газифікації. Ріст наноструктур SiC передбачає стадію атомізації кремнію та вуглецю за таких низьких температур. Ріст нанотрубок SiC в процесі відновлення вуглецем <$E roman SiO sub 2> в початковий період синтезу відбувається з переважним утворенням їх у вигляді зв'язок. Припущено, що SiC відповідає сильно текстурованій <$E alpha>-модифікації. Ключ. слова: нанотрубки карбида кремния, трубчатый, механизм Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.15Кб
Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|