Досліджено рентгенівські <$E roman C K sub alpha>-, <$E roman Si L sub alpha>- та <$E roman Si K sub beta>-спектри емісії спеченого за P = 4 ГПа і T = 2073 К метастабільного SiC - C і стандартного <$E beta>-SiC. Установлено досить велике низькоенергетичне розширення <$E roman C K sub alpha> та 30 %-ве зниження інтенсивності <$E roman Si K sub beta>-лінію, під час переходу від стандартного <$E beta>-SiC до полікристалу SiC - C зі зменшеним параметром гратки.

Ключ. слова: електронна структура, метастабільний твердий розчин заміщення, рентгенівська смуга емісії
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.33в734.5

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Зауличний Ярослав Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"