Досліджено причини деградації термоелектричних матеріалів <$E p- roman {(Bi sub 2 Te sub 3 ) sub 0,25 (Sb sub 2 Te sub 3 ) sub 0,72 (Sb sub 2 Se sub 3 ) sub 0,03} >, вирощених методом вертикальної зонної плавки, шляхом вимірювання розподілу значень термоелектрорушийної сили та електропровідності вздовж осі злитків у процесі ізотермічних відпалів. Установлено, що основною причиною деградації параметрів є наявність мікровиділення фази, збагаченої телуром, в разі вирощування з його надлишком відносно стехіометричного складу. Реалізація молекулярного механізму входження компонентів під час кристалізації дозволяє значно знизити кількість надлишкового телуру й одержати стабільні матеріали з підвищеною добротністю <$E Z ~>>~ 3,0 ~cdot~ 10 sup -3 roman К sup -1 >. Зазначено, що використання таких матеріалів для виготовлення модулів охолодження дозволяє одержати перепад до 75 К від кімнатної температури.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"