Горбань А. П. Теоретический и экспериментальный анализ рекомбинационных параметров высокоэффективных кремниевых солнечных элементов / А. П. Горбань, В. П. Костылев, А. В. Саченко, А. А. Серба, В. В. Черненко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 61-68. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Получены теоретические выражения для эффективных скоростей поверхностной рекомбинации (СПР), вводимых на границах областей пространственного заряда и квазинейтрального объема базы. Рассмотрена ситуация произвольного соотношения площадей контактов, обеспечивающих токосъем, и площадей участков, пассивированных диоксидом кремния. Приведены критерии, позволяющие применять определенные таким образом СПР при описании характеристик солнечных элементов (СЭ). Теоретически и экспериментально исследованы спектральные зависимости малосигнальной ЭДС разомкнутой цепи кремниевых СЭ, если толщина базы d или меньше, или порядка длины диффузии неосновных носителей в базе <$E L sub d>. Предложен метод определения <$E L sub d> и эффективных СПР на фронтальной и тыльной поверхностях СЭ из спектральной зависимости малосигнальной фотоЭДС. Описаны закономерности релаксации малосигнальной фотоЭДС кремниевых СЭ после выключения малосигнального импульсного возбуждения в зависимости от интенсивности постоянной подсветки. Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|