Кристали <$E Bi sub 2 Te sub 3 ~-~ In sub 2 Se sub 3>, що містять до 5 молярних відсотків <$E In sub 2 Se sub 3>, одержано за допомогою методу зонної плавки. Процес кристалізації супроводжується заміщенням атомів Bi атомами In та атомів Te - атомами Se у гратці <$E Bi sub 2 Te sub 3>. Помічено, що таке заміщення призводить до істотного зниження питомої теплопровідності. Це явище пояснюється вакансіями, що утворюються під час заміщення. Збільшення вмісту <$E In sub 2 Se sub 3> до 3 молярних % у системі <$E Bi sub 2 Te sub 3> - <$E In sub 2 Se sub 3> призводить до зміни провідності p-типу на n-тип. На підставі досліджень в діапазоні до 5 молярних % <$E In sub 2 Se sub 3> з різною кількістю домішки <$E CdCl sub 2> за умови 300 K зроблено висновок, що у разі 0,4 - 0,8 молярних % <$E In sub 2 Se sub 3> і домішки 0,08 вагових % <$E CdCl sub 2> до твердого розчину <$E Bi sub 2 Te sub 3 ~-~ In sub 2 Se sub 3> добротність Z складає <$E (2,63~ - ~2,74)~cdot~10 sup -3~ roman K sup -1>.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51 + В379.223

Рубрики:

Термоелектричні явища

Тверді розчини напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"