За допомогою комп'ютерного аналізу зображень визначено лінійні, об'ємні та конфігураційні параметри мікроструктури, одержаної методом електронної мікроскопії на просвіт, тонких плівок CrSi2, які складаються з кристалічної та аморфної фаз. Зі зростанням товщини плівки лінійні розміри кристалітів, їх об'ємна частка збільшуються, а середня міжчастинкова відстань і питоме число частинок зменшуються. За цих умов відбувається еволюція мікроструктури від матричного до матрично-статистичного типу, обумовлена явищами рекристалізації в процесі осадження плівки, коалесценції дискретних острівців кристалітів та "спікання" контактуючих частинок.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"