Досліджено процеси формування епітаксіальних шарів високотемпературної фази <$E alpha - {roman Fe} sub 1-x roman Si sub 2> на кремнії (100) під дією лазерного випромінювання з густиною потужності світлового потоку в межах (<$E 0,8~-~2,2)~cdot~10 sup 4~ roman {Вт "/" см} sup 2>, фазовий склад, структурну досконалість та електрофізичні властивості. Виявлено, що за малої густини потужності вісь c тетрагональної <$E alpha>-фази орієнтується вздовж, а за максимальних значень (<$E 2,2~cdot~10 sup 4~ roman {Вт "/" см} sup 2>) - перпендикулярно до поверхні кремнію. З'ясовано, що <$E alpha>-фаза, яка швидко затверділа у поверхневому шарі кремнію, на відміну від повільно охолодженої масивної <$E alpha>-фази, що характеризується металічними властивостями, є вузькозонним напівпровідником з коефіцієнтом Зеебека до 1 050 мкВ/К, енергією активації носіїв у зону провідності 35 меВ. Теоретичний аналіз процесів епітаксіальної кристалізації показує, що формування <$E alpha>-фази відбувається внаслідок швидкої спрямованої кристалізації розплаву Fe - Si зі швидкістю біля 2 см/с і "кінетичної конкуренції" фаз евтектичного складу, а енергія активації зародження нерівноважної <$E alpha>-фази знижується в разі скорочення тривалості лазерного імпульсу та концентрації структурних вакансій у кристалічній фазі, що твердіє на межі розділу з розплавом.

Ключ. слова: дисилицид железа, структурные вакансии, эпитаксиальная кристаллизация, лазерное облучение, позитронная аннигиляция, эффект Мёссбауэра, коэффициент Зеебека
Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.2 + Г542.54

Рубрики:

Силіцій (кремній)

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Нищенко Михайло Маркович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"