Вивчено нелінійні вольт-амперні характеристики (ВАХ) на кільцевій межі розділу Fe і швидко закристалізованого дісиліциду заліза (<$E {roman Fe} sub 1-x roman Si sub 2>). Межа утворюється під час локального плавлення лазерним імпульсом монокристала Si (100) з напиленою плівкою Fe завтовшки 6 нм. Вона розділяє оплавлену (<$E {roman Fe} sub 1-x roman Si sub 2>) і неоплавлену (Fe/Si) лазерним імпульсом області. Розраховано фізичні параметри випрямного переходу та показано, що під час проплавлення на глибину ~ 1 мкм на межі <$E {roman Fe "/ " Fe} sub 1-x roman Si sub 2> утворюється бар'єр Шотткі. Крутість прямої гілки ВАХ <$E alpha ~=~d~(lni) "/" dV> дорівнює 35 <$E roman B sup -1>. Вона близька до ідеального значення (<$E e "/" kT~symbol Ы~40~roman B sup -1>), яке описано діодною моделлю, для бар'єру Шотткі з різкою межею розділу за умов відсутності окисних шарів. У цьому випадку товщина подвійного шару менша за довжину вільного пробігу електронів.

• Нищенко Михайло Маркович (технічні науки)
• Кода Володимир Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"