Досліджено вплив свинцю <$E (N sub roman Pb~=~1~cdot~10 sup 18~roman см sup -3 )> на кінетику генерації термодонорів, що утворюються за температур 450 і 650 <$E symbol Р>C, а також кінетику преципітації кисню за температури 650 <$E symbol Р>C в <$E n>-Si з підвищеною концентрацією вуглецю <$E (N sub roman C~=~(7~symbol Ш~8)~cdot~10 sup 16~roman см sup -3 )>. Виявлено, що в <$E n>-Si із Pb утворення низькотемпературних термодонорів відбувається значно швидше, а утворення високотемпературних термодонорів і преципітація кисню - повільніше у порівнянні з <$E n>-Si без Pb. Одержані результати інтерпретуються з урахуванням ролі у процесах термічного дефектоутворення міждомішкової взаємодії Pb і C унаслідок утворення електрично нейтральних комплексів з участю Pb і C. Виявлено також, що попередній низькотемпературний відпал (450 + 510) <$E symbol Р>C згладжує відмінності у кінетиках генерації високотемпературних термодонорів і преципітації кисню для легованого свинцем і контрольного матеріалу.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"