У I частині дослідження описано числово автолокалізовані електронні стани в дискретних анізотропних двовимірних електрон-фононних гратках. У II частині цю проблему досліджено аналітично для випадку ізотропних граток. Показано, що в адіабатичному наближенні систему дискретних рівнянь можна звести до континуального двовимірного нелінійного рівняння Шредінгера з додатковим доданком, що виникає завдяки дискретності та є істотним для протидії колапсу солітонів. Це досягається у випадку, коли параметр нелінійності набуває значення з певного інтервалу <$E g sub c1~<<~g~<<~g sub c2>. Варіаційним методом показано, що мінімум енергії відповідає делокалізованим станам, коли <$E g~<<~g sub c1>, та сильно локалізованим (майже на одному вузлі) у разі <$E g~>>~g sub c2>. Розраховано радіус локалізації квазічастинки як функцію сталої електрон-фононної взаємодії. Наведено деякі результати стосовно солітонів з відмінною від нуля швидкістю.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"