Наведено теорію поглинання вільними носіями в структурах з квантовими ямами на основі напівпровідників III - V груп для випадку розсіяння на компонентному розупорядкуванні. Визначено, що коефіцієнти поглинання, зумовлені розсіянням на компонентному розупорядкуванні та на фононах, величини одного порядку. Одержані результати свідчать, що коефіцієнт поглинання зменшується зі збільшенням частоти фотонів і збільшується з підвищенням температури. Показано, що коефіцієнт поглинання збільшується зі зменшенням глибини квантових ям.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"