Pagava T. A. Oscillatory dependence of electron Hall mobility on the annealing temperature for irradiated silicon = Осциляційна залежність холлівської рухливості електронів від температури відпалу в опроміненому кремнії / T. A. Pagava, L. S. Chkhartishvili // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 10. - С. 1006-1008. - Библиогр.: 5 назв. - англ.Температурні залежності холлівської рухливості електронів <$E mu sub roman H> у монокристалах <$E n>-Si виміряно як до, так і після їх опромінення протонами та температурної обробки. Виявлено осциляції величини <$E mu sub roman H>, виміряної за певної температури у зразках, що піддавалися ізохронному відпалу за умови зростаючих температур. Ефект пояснено конкуренцією між дисоціацією комплексних радіаційних дефектів і розпадом скупчень дефектів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|