Stakhira P. Yo. Properties of heterojunctions based on inorganic and organic semiconductors: polyphenylacetylene - InSe:Ag heterostructure = Властивості гетеропереходів на основі неорганічних та органічних напівпровідників: гетероструктура поліфенілацетилен - InSe:Ag / P. Yo. Stakhira, O. I. Aksimentyeva, O. B. Dorosh, V. P. Savchyn, V. V. Cherpak, O. I. Konopelnyk // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 11. - С. 1112-1116. - Библиогр.: 13 назв. - англ.Розглянуто електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі поліфенілацетилену (ПФА) - InSe:Ag. Знайдено величину потенціального бар'єра, одержано спектр фоточутливості, досліджено вольт-фарадні властивості зразків. Одержані на підставі вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик величини потенціального бар'єра такої структури узгоджуються між собою та збігаються з розрахованим значенням 0,61 еВ. Знайдено, що оптичні властивості гетероструктури визначаються в основному процесами у InSe. Побудовано енергетичну зонну діаграму ізотипного гетеропереходу ПФА - InSe:Ag. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|