In ultraviolet range of spectrum, the best parameters are observed for injection p - i - n photodiodes on GaAs, doped with Cr, O2, on high-ohmic epitaxial layers <$E {roman Ga} sub 1-x {roman Al} sub x roman As> or on heterojunctions <$E p {roman Ga} sub 1-x {roman Al} sub x roman As> - nGaAs. The range of spectral sensitivity is within 300 - 1 300 nm with maximum near 800 nm. IPD with photosensitivity in <$E lambda sub max> more than 500 A/W, threshold sensitivity (NEP) ~<$E 10 sup -14~roman {W~cdot~Hz} sup {-1 "/" 2}> at 300 K and ~<$E 10 sup -15~roman {W~cdot~Hz} sup -12> at 77 K have been produced.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2 + В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"