For Schottky barrier structures it can be stated that the contribution of tunneling of non-equilibrium carriers, trapped near the interface, is significant in photocapacitance relaxation. For a depletion region width less than 0,3 <$E mu>m, the application of theory, based on thermal release of centers, to determine the parameters of those centers gives an error close to the measured value. In case of thin barriers the parameters have to be obtained from the slow phase of photocapacitance relaxation.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"