На прикладі структур Hg0,8Cd0,2Te/Me (Me = Cu, Au) розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності високої нерівноважної концентрації домішок. Показано можливість стимульованої лазерною ударною хвилею дифузії домішок з неоднорідного за концентрацією шару на поверхні напівпровідника. Підтверджено, що при дифузії високої концентрації швидкодифундуючих домішок першої групи відбувається утворення нових сполук.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"