Проведено експериментальні та теоретичні дослідження впливу ультразвукової обробки (УЗО) та УЗ-навантаження (УЗН) на напівпровідникові кристали HgMnTe та HgCdMnTe. Показано, що акустостимульовані зміни електрофізичних параметрів, а саме: збільшення коефіцієнта Холла <$E R sub roman H> у зразках n-типу провідності і зменшення його у зразках p-типу, збільшення холлівської рухливості <$E mu sub roman H> у високотемпературній і зменшення у низькотемпературній областях для зразків як для n-, так і для p-типу провідності, - визначаються вихідною структурою дефектів кристалів (зі збільшенням вмісту Hg знижується амплітудний поріг УЗ-впливу), відносним внеском різних механізмів розсіювання носіїв заряду (найбільш ефективний УЗ-вплив здійснюється за механізмом розсіювання на іонізованих домішках), режимами УЗ (частотою, інтенсивністю та тривалістю).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + К207.6

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Вплив електричної та ультразвукової обробки на структуру і властивості металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Оліх Ярослав Михайлович (фізико-математичні науки)
• Тимочко Микола Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"