Досліджено вплив зарядового стану нерівноважних вакансій на процеси, що протікають під час опромінення та термообробки в кристалах n-Si. Досліджено зразки n-Si, одержані за допомогою методу зонної плавки, з концентрацією електронів <$E 1~times~10 sup 13~-~2~times~10 sup 14~roman см sup -3>. Опромінені кристали досліджено за допомогою методу Холла та локального опромінення з наступним вимірюванням фото-ерс вздовж опроміненої частини зразка. Досліджувані зразки опромінено електронами ( E = 2 МеВ) або протонами ( E = 25 МеВ) за температури 300 K. Показано, що природа, енергетичний спектр, а також кінетика утворення та відпалу радіаційних дефектів у кристалах n-Si залежать від зарядового стану нерівноважних вакансій, легувальних домішок та областей розупорядкування.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312

Рубрики:

Вакансії і домішки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"