Досліджено вплив легування ізовалентною домішкою Pb на структурні, електричні та рекомбінаційні параметри n-Si. Виявлено, що легування Si домішкою Pb має такі наслідки: виводить основну частину домішки C із оптично активного стану, зменшує щільність ростових мікродефектів і не впливає на концентрацію дислокацій, збільшує час життя нерівноважних носіїв струму, не створює додаткових електрично активних структурних дефектів і не впливає на рухливість основних носіїв струму. Причиною спостережуваних ефектів може бути зменшення внутрішніх деформаційних напружень у кристалі внаслідок корельованого розподілу атомів Pb і C у процесі кристалізації Si під час витягування із розплаву.

Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5

Рубрики:

Металургія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"