Описаны результаты исследования слоистой неоднородности в монокристаллах твердого раствора GaxIn1-xSb с содержанием галлия x = 0,03, выращенных способом Чохральского при воздействии ультразвукового поля с частотой до 1,44 МГц. На основании данных экспериментов роста предложен механизм формирования в кристаллах слоев с расстоянием от 7 до 14 мкм. Установлено, что невертикальное расположение оси вытягиваемого кристалла по отношению к поверхности расплава обусловливает скачкообразный характер кристаллизации, в результате которого в монокристаллах GaxIn1-xSb образуются мелкие слои.

Ключ. слова: плазменно-индукционное выращивание, кристаллизация, монокристаллы, легирующие компоненты, поверхность расплава
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.270.3

Шифр НБУВ: Ж14257 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"