Представлено результати контрольованого легування сурмою епітаксійних шарів <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te> у процесі ізотермічного нарощування з газової фази за допомогою методу випаровуванння - конденсація - дифузія. Для здійснення процесу твердофазного легування як джерело дифузанта використано монокристалічні підкладки CdTe (111). В експериментах застосовано однорідно леговані до рівня NSb ~ <$E 10 sup 17~roman см sup -3> у процесі синтезу підкладки та нелеговані, в яких домішка вводилась в поверхневий шар підкладок за допомогою іонної імплантації: E = 100 кеВ, <$E roman D~=~8~cdot~10 sup 14~roman см sup -2>. З використанням масспектрометрії вторинних іонів визначено профілі розподілу Sb, а за допомогою рентгенівського мікроаналізатора досліджено профілі розподілу складу основних компонент твердого розчину <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te> по товщині нарощених шарів. Визначення типу провідності та концентрації вільних носіїв здійснено з гальваномагнітних вимірів за стандартною методикою. Показано, що використання твердофазного джерела Sb забезпечує високу ефективнісь легування нарощених шарів <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te>. Проведено порівняльний аналіз результатів ВІМС, оптичних і гальвано-магнітних вимірювань легованих Sb епітаксійних шарів <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te>.

Ключ. слова: легування, дифузія, CdHgTe
Індекс рубрикатора НБУВ: К651.647

Рубрики:

Інші види дифузійної металізації металів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Власов Андрій Петрович (фізико-математичні науки)
• Бончик Олександр Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"