Наведено результати досліджень фото-, термо- та тунельної компонент люмінесценції різних форм наноструктурованого кремнію, які свідчать про розмірну залежність ще одного електронного процесу - Оже-розсіяння - основного динамічного процесу, яким визначаються безвипромінювальні електронні переходи. Причиною цього є різко виражена залежність <$E W> ~ <$E R sup -6> швидкості розсіяння W від відстані між носіями заряду R, якою в наночастинках можна керувати, змінюючи розмір останніх. Експериментальним проявом розмірної залежності W(R) є спектральна залежність ефекту "втоми випромінювання" кремнієвих нанокристалітів, яка виражена більш сильно в тій зоні неоднорідно розширеної смуги випромінювання, що відповідає нанокристалітам найменших розмірів. Повідомлено про інші властивості фотолюмінесцентного випромінювання, а також особливості спектральних залежностей термостимульованої люмінесценції та температурних залежностей тунельної люмінесценції, які підтверджують розмірну залежність W(R).

Ключ. слова: нано-Si, квантово-розмірний ефект, оже-розсіяння, фотолюмінесценція, термолюмінесценція, тунельна люмінесценція
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Блонський Іван Васильович (1950–) (фізико-математичні науки)
• Вахнін Олександр Юрійович (фізико-математичні науки)
• Кадан Віктор Миколайович (фізико-математичні науки)
• Кадащук Андрій Костянтинович (фізико-математичні науки)
• Сальников Вадим Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"