Каурковська В. М. Робота центрів провідності на поверхні терморезистора VO2 у хімічних реакціях етилового спирту із бензойною кислотою та бензолом / В. М. Каурковська, Л. С. Дзюбенко, О. О. Чуйко, О. П. Шахов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 4. - С. 809-814. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.За допомогою методу дериватографії вивчено процеси термодесорбції з поверхні терморезистивних оксидів V2O3 (<$E T sub roman c> = 150 K) і VO2 (<$E T sub roman c> = 340 K). Показано, що зі зростанням ступеня окиснення металу в оксиді підвищується кількість слабкозв'язаної води на поверхні терморезисторів. Із використанням вимірювання електропровідності за допомогою контактного методу вивчено процеси адсорбції води, етилового спирту, бензойної кислоти та бензолу на поверхні VO2. Показано, що на поверхні VO2 існує напівокиснений шар, який не перешкоджає вимірюванням відгуків електропровідності на адсорбційні процеси та хімічні реакції на поверхні. Встановлено, що кількість центрів провідності на поверхні VO2 під час хімічних реакцій етилового спирту (пари) із адсорбованим на поверхні VO2 індикатором льюісівських центрів - бензойною кислотою - в інтервалі температур 334 - 350 K складає <$E (1~symbol С~0,1)~cdot~10 sup 15~roman см sup -2>. Значення роботи центрів провідності в хімічних реакціях на поверхні підвищуються у разі зниження температури. Ключ. слова: терморезистори, напівпровідники, адсорбція, поверхня, діелектрик Індекс рубрикатора НБУВ: З843.35
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|