Проаналізовано колекторні характеристики кремнієвих МДН фотосенсорів з нерівноважним виснаженням. Теоретично й експериментально показано, що такі фотосенсори мають більш високу порогову фоточутливість, ніж фотосенсори з "металургійними" p - n-переходами. Зроблено висновок про можливість використання кремнієвих МДН структур з нерівноважним виснаженням як порогових фотосенсорів, а також як порогових детекторів ядерних випромінювань.

Ключ. слова: структура МДН, фотосенсор, нерівноважне виснаження, порогова фоточутливість
Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Костильов Віталій Петрович (фізико-математичні науки)
• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)
• Серба Олександр Андрійович (фізико-математичні науки)
• Черненко Василь Васильович (фармацевтичні науки)
• Черненко Володимир Васильович (фізико-математичні науки)
• Черненко Вікторія Валентинівна (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"