За допомогою методу Оже-електронної спектроскопії досліджено елементний склад поверхні монокристалів In4Se3 залежно від величини струму зондуючого електронного пучка та густини енергії імпульсного лазерного опромінення. Встановлено оптимальні режими роботи Оже-мікрозонда, за яких одержано реальні дані про елементний склад поверхні зразків In4Se3 без її пошкодження (струм зонда 0,3 - 0,4 мкА, діаметр зонда 200 мкм, прискорювальна напруга 10 кВ, збільшення не більше <$E times 70>). Показано, що за густини енергії лазерного випромінювання у діапазоні 2 - 6 Дж/<$E roman см sup 2> проходить десорбція атомів кисню та вуглецю із поверхні зразків In4Se3, а за умови густини енергії випромінювання 8 - 10 Дж/<$E roman см sup 2> така десорбція здійснюється і з неопроміненої частини зразка на межі з опроміненою ділянкою.

• Остафійчук Богдан Костянтинович (1948–2024) (фізико-математичні науки)
• Будзуляк Іван Михайлович (фізико-математичні науки)
• Гасюк Іван Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"