Методом кратковременной диффузии кадмия в n-InAs изготовлены неохлаждаемые фотодиоды с областью спектральной чувствительности 1,0 - 3,7 мкм и ампер-ваттной чувствительностью 0,6 А/Вт при <$E lambda sub roman max ~=~3,45> мкм. Экспериментально и теоретически исследованы их электрические характеристики, на основании которых обнаружено формирование компенсированной области на границе p - n-переходов. Показано, что в интервале температур T = 200 - 295 K темновой ток фотодиодов определяется диффузионным механизмом переноса заряда. Выполнен расчет спектральных характеристик фотодиодов и получено удовлетворительное согласование с экспериментальными результатами. Используя методику определения рекомбинационных параметров по спектральному распределению фоточувствительности p - n-переходов, проведена оценка диффузионной длины неосновных носителей, скорости поверхностной рекомбинации и эффективного времени жизни носителей. Рассчитаны параметры p - n-перехода, позволяющие улучшить спектральную характеристику и ампер-ваттную чувствительность фотодиодов, предназначенных для использования в оптоэлектронных сенсорах метана.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"