Экспериментально и теоретически исследованы прямые вольт-амперные характеристики (ВАХ) кремниевых диодов и качественных солнечных элементов (СЭ). Показано, что в области пониженных температур (до 150 K) в полном токе кремниевых p - n-переходов с достаточно низким легированием базы существенна туннельная компонента тока, связанная предположительно с туннелированием через дислокации, пересекающие p - n-переход. Указанная компонента прямого тока может проявляться при определенных условиях и в СЭ с низкой концентрацией дислокаций. Показано, что фактор неидеальности ВАХ при наличии туннельного тока существенно возрастает и при низких температурах его значение может превышать 10. Вследствие теоретического анализа механизмов токопрохождения прямо смещенных кремниевых p - i - n-структур и диодов с короткой базой установлено, что эффективный коэффициент неидеальности ВАХ в зависимости от механизма токопрохождения и уровня инъекции в отсутствие туннельных токов в указанных структурах может изменяться в пределах от 4 до 2/3. Показано, что кремниевым p - i - n-структурам с короткой базой присуща повышенная чувствительность к токам поверхностной рекомбинации на контактах, что связано с малой толщиной базы и с реализацией нелинейного уровня инъекции.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 + З851.122.2

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)
• Черненко Василь Васильович (фармацевтичні науки)
• Черненко Володимир Васильович (фізико-математичні науки)
• Черненко Вікторія Валентинівна (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"