Оксид цинка - перспективный материал для создания эффективных светодиодов и полупроводниковых лазеров для голубой области спектра. Показано, что введение ионов мышьяка в пленку оксида цинка (мышьяк как акцептор в ZnO) способствует формированию слоев p-типа только в случае отжига в потоке атомарного кислорода. Ионная имплантация и последующий отжиг приводят не только к изменению типа проводимости слоев <$E roman ZnO:As sup +>, но и изменению их люминесцентных свойств. Ультрафиолетовая полоса люминесценции с максимумом 3,33 эВ, наблюдаемая в спектрах слоев ZnO, имплантированных ионами <$E roman As sup +>, приписана акцепторному центру Aso. Определен оптимальный температурный диапазон отжига в потоке атомарного кислорода, требуемом для получения слоев p-ZnO.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Рогозін Ігор Вікторович (1965–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"