З урахуванням спонтанної дисоціації домішки галію <$E roman {2Ga sup 2+ ~symbol О~ Ga sup 1+ ~+~Ga sup 3+}> у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю <$E roman {Ga sub Pb sup 3+}>. Глибоке легування обумовлює утворення міжвузлового галію <$E {roman Ga} sub i sup 3+> у тетрапорожнинах підгратки телуру з наступним утворенням нової фази Ga2Te3. Стабілізація рівня Фермі і, відповідно, концентрації електронів пов'язана з утворенням <$E roman {Ga sub Pb sup 1+}> на двох етапах легування.

• Бойчук Володимир Миколайович (економічні науки)
• Бойчук Володимир Максимович (медичні науки)
• Бойчук Володимира Михайлівна (хімічні науки)
• Бойчук Віталій Миколайович (педагогічні науки)
• Бойчук Василь Миколайович (філологічні науки)
• Бойчук Валентина Михайлівна (філологічні науки)
• Бойчук В'ячеслав Миколайович (сільськогосподарські науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"