Барьяхтар В. Г. Единое уравнение для движения электрона в кристалле и параметрического резонанса. Точно решаемая модель / В. Г. Барьяхтар // Металлофизика и новейшие технологии. - 2005. - 27, № 1. - С. 119-134. - Библиогр.: 17 назв. - рус.Вказано на повну аналогію в математичному описі руху електрона в періодичному полі гратки та явища параметричного резонансу осцилятора. Розвинуто зонний підхід для аналізу явища параметричного резонансу. В моделі потенціалу Ламе для зовнішньої сили, прикладеної до осцилятора, розраховано інкременти наростання коливань. Показано, що інкремент наростання досягає максимуму посередині зони (умова параметричного резонансу) і що похідні від інкременту наростання за власною частотою перетворюються в нескінченність на межах зони. Цьому результату відповідає обернення в нескінченність похідних від квазічастоти за власною частотою у випадку коливань параметричного осцилятора з обмеженою амплітудою. Ключ. слова: параметрический резонанс, инкремент нарастания, электрон, кристалл Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|