Представлено результати експериментальних досліджень впливу технології нанесення металів і сплавів на параметри омічних контактів до n-GaAs для надвисокочастотних польових транзисторів і монолітних інтегральних схем. Досліджено вплив різних вакуумних систем у ході формування омічних контактів на їх питомий контактний опір і температурну стабільність. Установлено, що для формування контактів, які б задовольняли вимогам технології НВЧ транзисторів і МІС, є придатними лише вакуумні системи із іонногетерною чи турбомолекулярною помпами на останній стадії створення вакууму.

Ключ. слова: aрсенід галію, технологія металізації, вакуум, омічний контакт, НВЧ польовий транзистор
Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-060.7 + З852.3-060.7

Рубрики:

Інтегральні схеми

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іващук Анатолій Васильович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"