Розглянуто вплив структури алюмінієвих сплавів на результати визначення силіцію за допомогою методів мас-спектрометрії із жевріючим розрядом та рентгенівської флуоресценції. Показано, що збільшення розмірів мікрокристалів силіцію призводить до завищених значень його вмісту. На підставі вивчення кінетики зміни концентрації іонів силіцію у плазмі жевріючого розряду показано, що під дією катодного розпилення відбувається реконструкція поверхневого шару. Кінетика цих процесів відмінна для бінарного (з 3 % силіцію) та багатокомпонентних сплавів. Запропоновано метод усунення структурного впливу на визначення концентрації силіцію, який базується на попередній обробці поверхні мікросекундним імпульсним розрядом, у результаті чого утворюється дрібнокристалічний поверхневий шар товщиною 20 - 50 мкм. Це дозволяє усунути структурні ефекти та одержати вірні дані щодо вмісту силіцію.

• Курочкін Володимир Данилович (1946–) (хімічні науки)
• Кузьменко Лариса Михайлівна (економічні науки)
• Кузьменко Лариса Михайлівна (сільськогосподарські науки)
• Кузьменко Людмила Миколаївна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"