Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000155941<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Іващенко В. І. Атомний розподіл та електронна будова аморфного і мікрокристалічного SiC / В. І. Іващенко, В. І. Шевченко, Л. А. Іващенко, Г. В. Русаков, О. К. Порада // Порошковая металлургия. - 2004. - № 9-10. - С. 94-99. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Вивчено структурні властивості мікрокристалічного карбіду кремнію (<$E mu>c-SiC), а також його аморфного аналогу (a-SiC) у межах молекулярної динаміки на базі емпіричного потенціалу Терсофа. Для <$E mu>c-SiC детально проаналізовано кристаліт, міжзернові межі й аморфну матрицю. Встановлено, що аморфна матриця в <$E mu>c-SiC є більш упорядкованою у порівнянні з аморфною структурою a-SiC. Ретельно досліджено щільність станів обох матеріалів за схемою сильного зв'язку <$E sp sup 3 s sup *>. Запропоновано можливий механізм впливу гомополярних зв'язків та інших координаційних дефектів на електронні стани та когезійні властивості. Одержані результати зіставлено з іншими аналогічними даними. Ключ. слова: карбід кремнію, аморфний, мікрокристалічний, координаційний дефект, щільовий стан, молекулярна динаміка, модель сильного зв'язку Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|