Гамов Д. Акустостимульована іонно-променева синтеза кремнієвих нанокластерів в SiO2-матриці / Д. Гамов, В. Литовченко, О. Оберемок, Г. Калістий, Я. Оліх, Б. Романюк, В. Мельник, В. Юхимчук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 1. - С. 157-162. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Досліджено вплив in situ ультразвукового опромінення зразків під час імплантації іонів <$E roman Si sup +> та <$E roman N sup +> на формування Si-нанокластерів в шарах SiO2. Для аналізу синтезованих структур використано методи фотолюмінесценції та мас-спектрометрії вторинних іонів. Спостережено зсув максимуму фотолюмінесцентного випромінення в область коротких довжин хвиль та підвищення його інтенсивності в зразках, імплантованих під дією ультразвукової обробки. Цей ефект є обумовленим формуванням під дією УЗ вакансійних кластерів в області імплантації іонів, які впливають на кінетику кластеризації кремнію. Формування оксинітридної фази на межі поділу Si-нанокристал - SiO2 після додаткової імплантації іонів азоту призводить до підвищення інтенсивності та зсуву максимуму смуги фотолюмінесцентного випромінення у короткохвильову область. Ключ. слова: ультразвукове опромінення, фотолюмінесценція, мас-спектрометрія, нанокристал, SiO_2 Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|